申請號: 201580008046.0
申請日: 2015.01.23
國家/省市: 韓國(KR)
公開號: 105980509A
公開日: 2016.09.28
主分類號: C09K 3/14(2006.01)
分類號: C09K 3/14(2006.01); H01L 21/304(2006.01)
申請人: 凱斯科技股份有限公司
發明人: 權璋國; 全燦云; 鄭記和; 金廷潤; 崔洛炫; 李性表; 崔輔爀
代理人: 張晶 王瑩
代理機構: 北京路浩知識產權代理有限公司(11002)
申請人地址: 韓國京畿道
優先權: KR10-2014-0017239

摘要： 本發明關于一種制備研磨液組合物的方法及一種通過該方法制備的研磨液組合物，該方法及該研磨液組合物可減少刮痕及剩余顆粒且維持高拋光速率，該刮痕及剩余顆粒在應用于半導體化學機械拋光(CMP)中被公認為因塊狀顆粒及聚結顆粒所致的良率降低的一個主要因素。此外，該方法及該研磨液組合物可應用于超大規模整合的半導體程序所需的各種圖案且在針對應用的拋光速率、拋光選擇比率、表示拋光均勻性的晶圓內非均勻性(WIWNU)及微痕小型化方面達成優良結果。 

主權利要求
1.一種制備研磨液組合物的方法，所述方法包括：通過混合二氧化鈰磨料顆粒、分散劑及水制備原料研磨液組合物；將所述原料研磨液組合物中的所述等二氧化鈰磨料顆粒粉末化；通過將含有所述等經粉末化二氧化鈰磨料顆粒的所述原料研磨液組合物推送至包括水平圓柱形旋轉主體的分離裝置中且使所述原料研磨液組合物離心而自所述原料研磨液組合物移除塊狀顆粒及聚結顆粒；及獲得移除塊狀顆粒及聚結顆粒的研磨液組合物。