申請?zhí)? 201610370116.3
申請日: 2016.05.30
國家/省市: 中國山東(37)
公開號: 105948055A
公開日: 2016.09.21
主分類號: C01B 31/36(2006.01)
分類號: C01B 31/36(2006.01)
申請人: 山田研磨材料有限公司
發(fā)明人: 郝文虎; 龔志剛; 周強; 馬光明; 韓宇; 劉文兵
代理人: 董寶錁
代理機構: 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司(37212)
申請人地址: 山東省臨沂市臨沭鎮(zhèn)后高湖村

摘要： 本發(fā)明公開了一種半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，屬于碳化硅微粉生產(chǎn)技術領域。解決了現(xiàn)有技術生產(chǎn)的碳化硅微粉雜質(zhì)含量較高，提純難度大的問題。其包括以下步驟：(1)調(diào)漿：將研磨好的碳化硅微粉投入攪拌桶內(nèi)，加去離子水調(diào)節(jié)料漿濃度；(2)酸洗：加入質(zhì)量分數(shù)為98％的硫酸；(3)加溫攪拌：將料漿加熱至40?80℃，并攪拌陳腐；(4)加混合酸：在陳腐好的料漿中加入混合酸；(5)加溫攪拌：將加入混合酸后的料漿加熱至50?80℃，攪拌、陳腐；(6)沖洗：將陳腐后的物料打入壓濾機內(nèi)用去離子水沖洗至pH值為5?6.5，即得產(chǎn)品。本發(fā)明方法適合提純半導體用高純碳化硅微粉。 

主權利要求
1.一種半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，其特征在于包括以下步驟：(1)調(diào)漿：將研磨好的碳化硅微粉投入攪拌桶內(nèi)，加去離子水調(diào)節(jié)料漿濃度；(2)酸洗：加入質(zhì)量分數(shù)為98％的硫酸；(3)加溫攪拌：將加酸后的料漿加熱至40-80℃，在此溫度下攪拌5-10小時后陳腐8-15小時；(4)加混合酸：在陳腐好的料漿中加入混合酸，混合酸與碳化硅微粉的質(zhì)量比為1:15-20；(5)加溫攪拌：將加入混合酸后的料漿加熱至50-80℃，在此溫度下攪拌5-10小時，陳腐8-15小時；(6)沖洗：將陳腐后的物料打入壓濾機內(nèi)用去離子水沖洗至pH值為5-6.5，即得所述的半導體用高純碳化硅微粉。